（2013?杭州二模）如图所示，水平的平行虚线间距为d，其间有磁感应强度为B的匀强磁场．一个正方形线框边长为l（d＞l），质量为m，电阻为R．开始时，线框的下边缘到磁场上边缘的距离为h．将线框由静止释放，其下边缘刚进入磁场时，线框的加速度恰为零．则线框进入磁场的过程和从磁场下边穿出磁场的过程相比较，有（）试题及答案-多选题-云返教育

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（2013?杭州二模）如图所示，水平的平行虚线间距为d，其间有磁感应强度为B的匀强磁场．一个正方形线框边长为l（d＞l），质量为m，电阻为R．开始时，线框的下边缘到磁场上边缘的距离为h．将线框由静止释放，其下边缘刚进入磁场时，线框的加速度恰为零．则线框进入磁场的过程和从磁场下边穿出磁场的过程相比较，有（　　）

试题解答

C:D

解：A、线框进入磁场过程磁通量增加，离开磁场过程磁通量减小，根据楞次定律，两个过程的感应电流的方向相反，故A错误；
B、线框进入磁场过程和离开磁场过程磁通量都变化，根据楞次定律可以得到安培力是阻碍相对运动，故都是向上，故B错误；
C、根据能量守恒定律，进入磁场的过程中产生的热量为mgl；离开磁场过程重力势能的减小量和动能的减小量都转变为热量，故大于mgl；故C正确；
D、线框进入磁场过程是匀速直线运动，设速度为v；离开磁场过程可能一直是减速运动，末速度不小于v、也可能是先减速后以v匀速运动；故离开磁场过程的平均速度较大；故进入磁场过程所用的时间大于穿出磁场过程中所用的时间；故D正确；
故选：CD．

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