（2013春?道里区校级期中）请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似．（1）Ga原子的电子排布式为．（2）在GaAs晶体中，每个Ga原子与个As原子相连，与同一个Ga原子相连的As原子构成的空间构型为．（3）在四大晶体类型中，GaAs属于晶体．（4）As与Ga之间存在的化学键有（填字母）A．离子键 B．σ键 C．π键 D．氢键 E．配位键 F．金属键 G．极性键（5）GaAs晶胞如图所示，其晶胞边长为564.0pm，密度为 g/cm3（列式并计算），a位置As原子与b位置Ga原子之间的距离为 pm（列式表示）．（Ga、As的相对原子质量分别为70、75）试题及答案-填空题-云返教育

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（2013春?道里区校级期中）请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似．
（1）Ga原子的电子排布式为          ．
（2）在GaAs晶体中，每个Ga原子与          个As原子相连，与同一个Ga原子相连的As原子构成的空间构型为          ．
（3）在四大晶体类型中，GaAs属于          晶体．
（4）As与Ga之间存在的化学键有          （填字母）
A．离子键 B．σ键 C．π键 D．氢键 E．配位键 F．金属键 G．极性键
（5）GaAs晶胞如图所示，其晶胞边长为564.0pm，密度为          g/cm³（列式并计算），a位置As原子与b位置Ga原子之间的距离为          pm（列式表示）．（Ga、As的相对原子质量分别为70、75）

试题解答

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹:4:正四面体:原子:BEG:5.37:141

√3

【解答】解：解：（1）Ga原子是31号元素，根据构造原理写出Ga原子的电子排布式为1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹，
故答案为：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹；
（2）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，每个Ga原子与4个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体，
故答案为：4；正四面体；
（3）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，故答案为：原子；
（4）碳原子可以形成4个碳碳单键，所以每个As应与4个Ga相连，金刚石中含有的化学键是共价键，所以该物质中含有的化学键是极性键，单键为σ键，又因为砷原子还有1对孤对电子，而镓原子有容纳孤对电子的空轨道，所以还可以构成配位键，
故答案为：BEG；
（5）晶胞中Ga位于体内，数目为4，As原子位于顶点和面心，数目为8×

+6×

=4，则晶胞质量为

4×(70+75)g/mol

6.02×10²³mol^-1

，晶胞体积为（564×10^-10cm）³³，则密度为

4×(70+75)

6.02×10²³×(564×10^-10)³

=5.37g/cm³；
a位置As原子与b位置Ga原子之间的距离为晶体体对角线的

，则距离为

√3

×564×10^-10cm=141

√3

，
故答案为：5.37；141

√3

．

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高三上册沪教版填空题高三化学

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